2007年光刻掩膜市场达到30.1亿美元，其中包括零售厂商和自用厂商的销售额，掩膜市场已成为仅次于硅材料的第二大晶圆制造材料市场。展望未来，2010年掩膜市场预计可达38.9亿美元，并仍保持第二大半导体制造材料市场的位置。目前从销售收入来看，北美是最大的掩膜市场，然而中国台湾预计将在2009年超越北美。
光刻技术不断推进，其中包括极紫外（EUV）、无掩膜（maskless）和纳米压印（nano-imprint）等新技术。目前沉浸式光刻用于45nm工艺量产——除了Intel例外。沉浸式光刻之所以被采用，主要是由于该技术是在原有技术上改进而得，而不是完全革命性的技术。尽管制造商必须购买沉浸式设备，但前期投资以及培训、子系统、激光器、光学材料和涂层等专业技术在沉浸式光刻中均可复用。
目前的水沉浸系统在单步操作中可获得38nm的特征尺寸。在这之前，业界曾沉浸式系统中的水必须由其他液体来替代。然而，并没有找到合适的替代液体。双版技术已经出现并成为32nm工艺光刻技术的有力竞争者。但双版技术有其自身的挑战，会增加工艺的复杂度，其中包括严格的覆盖要求、关键尺寸的控制要求以及制版分离给版图设计带来的限制。所有这些挑战都会增加该技术的成本。尽管复杂度增加，该技术仍在进展中。
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